Данный 14-битный коммутатор предназначен для работы с шиной eMMC HS200 и HS400 со скоростью передачи данных до 400 МБ/с, при напряжении питания 1,8 В или 1,2 В. 

HS200 — это режим синхронизации высокоскоростного интерфейса eMMC, обеспечивающий скорость передачи данных до 200 МБ/с при тактовой частоте шины 200 МГц в режиме Single Data Rate (SDR). HS400 - обеспечивает скорость передачи данных до 400 МБ/с на частоте 200 МГц в режиме Dual Data Rate (DDR)

В дополнение к режимам HS200/HS400 (для eMMC), этот компонент также поддерживает различные стандарты ввода/вывода (I/O signaling standards) для оперативной памяти: POD_12, SSTL_135, SSTL_15 или SSTL_18. Он может использоваться как коммутатор шины памяти (memory bus switch) для стандартов DDR2, DDR3 или DDR4 с общей пропускной способностью (скоростью) до 5 Гбит/с.

PI2SSD3212A1 (от компании Diodes Inc.) обладает топологией мультиплексора 2:1 или демультиплексора 1:2. Все 14-битные каналы переключаются одновременно на один из двух портов с помощью входного задающего сигнала (SEL). Также можно полностью отключить все порты (режим высокого импеданса), что полезно для экономии энергии или изоляции шины.

PI2SSD3212A1 произведен по технологии высокоскоростных коммутаторов (запатентованной Diodes), обеспечивающей стабильно высокую пропускную способность по всем каналам. Это достигается за счет минимизации вносимых потерь (insertion loss), перекрестных помех (cross-talk) и рассогласования между битами (bit-to-bit skew).

Устройство доступно в компактном 48-контактном корпусе TFBGA с размерами всего 4.5 x 4.5 x 0.8 мм, что делает его идеальным решением для применения в малогабаритных высокопроизводительных устройствах.

Технические характеристики:

• 14-битный переключатель 2:1, поддерживающий стандарты памяти eMMC HS200 и HS400 (до 400 МБ/с), а также DDR3 (800–2133 Мбит/с) и DDR4 (1600–4266 Мбит/с);
• Один канал с напряжением питания 1.8 В;
• Входы управления SEL (выбор порта) и Global Enable (общее включение/выключение);
• Номинальная сила тока 150 мкА при напряжении питания 1.8 В;
• Высокий импеданс и низкая емкость выходов каналов (Coff) при отключении (Disabled) или деселекции (Deselected);
• Низкое сопротивление открытого канала (RON): 4 Ом (тип. значение);
• Полоса пропускания -3дБ: 2.8 ГГц;
• Вносимые потери (Insertion Loss): -0.35 дБ на частоте 400 МГц;
• Обратные потери (Return Loss): -23 дБ на частоте 400 МГц;
• Перекрестные помехи (Cross-talk): -26 дБ на частоте 400 МГц;
• Изоляция в выключенном состоянии (Off-Isolation): -28 дБ на частоте 400 МГц;
• Рассогласование между битами (Bit-to-Bit Skew): 10 пс (тип. значение);
• Электростатическая защита (ESD): 2 кВ HBM (Human Body Model);
• 48-контактный TFBGA (Thin Fine Pitch Ball Grid Array) с размерами 4.5 x 4.5 x 0.8 мм (NC);
• Полностью бессвинцовый (Pb-free) и соответствует требованиям RoHS. Не содержит галогенов и сурьмы ("Green");
• Доступны версии, квалифицированные по стандартам AEC-Q100/101/104/200 и произведенные на сертифицированных IATF 16949 предприятиях (требуется отдельный запрос).

Информация для заказа:

Перевод с оригинала документа DS46076 Rev 4-2